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RUE003N02
? Electrical characteristics (Ta=25 ? C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Drain-source breakdown voltage
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Symbol
I GSS
V (BR)DSS
I DSS
V GS(th)
R DS(on) ?
|Y fs | ?
C iss
C oss
C rss
Min.
?
20
?
0.3
?
?
?
400
?
?
?
Typ.
?
?
?
?
0.7
0.8
1.0
?
25
10
10
Max.
10
?
1.0
1.0
1.0
1.2
1.4
?
?
?
?
Unit
μ A
V
μ A
V
Ω
Ω
Ω
ms
pF
pF
pF
Conditions
V GS =± 8V, V DS = 0V
I D = 1mA, V GS = 0V
V DS = 20V, V GS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 300mA, V GS = 4.0V
I D = 300mA, V GS = 2.5V
I D = 300mA, V GS = 1.8V
I D = 300mA, V DS = 10V
V DS = 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
t d(on) ?
t r ?
t d(off) ?
t f ?
?
?
?
?
5
10
15
10
?
?
?
?
ns
ns
ns
ns
I D = 150mA, V DD
V GS = 4.0V
R L = 67 Ω
R G = 10 Ω
10V
? Pulsed
? Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ? C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 100mA, V GS =0V
? Pulsed
? Electrical characteristic curves
1 V DS = 10V
Pulsed
10
V GS = 4V
Pulsed
10
V GS = 2.5V
Pulsed
0.1
0.01
0.001
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.0001
0.00001
0.1
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.1 Typical transfer characteristics
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.3 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current ( ΙΙ )
10
1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 1.8V
Pulsed
1
0.1
V GS = 0V
Pulsed
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
100
10
Ta = 25 ° C
f = 1MH Z
V GS = 0V
C iss
C oss
C rss
0.1
0.01
1
0.01
0.1
1
0.0
0.5
1
1.5
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.4 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current ( ΙΙΙ )
www.rohm.com
c 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.5 Source current vs.
source-drain voltage
2/3
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.6 Typical capacitance vs.
drain-source voltage
2011.05 - Rev.B
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RUE090-0.138
功能描述:可复位保险丝 RUE090-0.138
RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C
RUE090-1
功能描述:可复位保险丝 .9A 30V 40A Imax
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RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C
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功能描述:可复位保险丝 .9A 30V 40A Imax
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功能描述:POLYSWITCH RUE SERIES 1.10A RoHS:否 类别:过电压，电流，温度装置 >> PTC 可复位保险丝 系列:PolySwitch® 标准包装:2,000 系列:POLYFUSE® SMD1812 电流 - 维持(Ih):200mA 电流 - 跳闸(It):400mA 电流 - 最大:10A 电压 - 最大:30V R最小/最大:0.800 ~ 5.000 欧姆 跳闸时间:0.02s 封装/外壳:1812（4532 公制），凹陷 包装:带卷 (TR)